深度研报 2025 Q2 SSE STAR · 半导体设备

中微公司 · 刻蚀双雄

国内刻蚀设备+MOCVD双平台龙头，CCP/ICP介质刻蚀进入5nm先进制程验证线；MOCVD设备全球市占率第一梯队，Mini/Micro LED扩产带来增量；对标Lam Research，受益晶圆厂扩产+国产替代双重逻辑。

收盘价 · 2026/05
¥405.6
SSE:688012
总市值
2,411亿
科创板 · 半导体设备
52周区间
256.21–412.22
当前处于 96% 分位
PE (TTM)
~65×
行业均值 55×
积极关注 · 逢低布局
刻蚀设备国产替代核心标的，先进制程验证持续推进，MOCVD贡献稳定现金流。估值偏高但赛道稀缺性支撑溢价，等待回调至合理区间逐步建仓。
建议仓位10 – 15%
01 — 所属行业

半导体设备

泛半导体设备制造，聚焦等离子体刻蚀与薄膜沉积两大核心工艺环节。

刻蚀 · MOCVD

中微公司是国内极少数同时覆盖刻蚀和薄膜沉积两大前道设备领域的平台型公司，产品应用于逻辑芯片、存储芯片、LED、功率器件等多种半导体制造工艺。

主营业务
刻蚀设备 + MOCVD设备
CCP/ICP刻蚀覆盖介质刻蚀、硅刻蚀；MOCVD用于LED/功率外延双平台
行业地位
国内刻蚀设备龙头
CCP刻蚀国内市占率领先，5nm制程验证中，MOCVD全球第一梯队稀缺
竞争格局
Lam · TEL · AMAT
全球刻蚀市场CR3约85%，中微公司为国内唯一进入先进制程的刻蚀厂商突破中
下游客户
中芯国际 · 华虹 · 长存
覆盖国内主要晶圆代工厂和存储厂，深度绑定国产化扩产节奏受益
02 — 业绩与基本面

业绩与基本面

2024年营收同比增长~32%，刻蚀设备放量驱动增长，在手订单充裕。
营收规模
2024E ≈ 75亿
刻蚀设备占比约65%，MOCVD占比约25%，其他设备及零部件约10%高增
净利润
2024E ≈ 18亿
净利率约24%，设备毛利率约45%，研发费用率约20%盈利能力强
在手订单
饱满
预收款/合同负债持续增长，反映下游晶圆厂扩产订单持续释放增长确定
研发投入
~15亿/年
研发人员占比超40%，持续投入先进制程刻蚀和新品类设备开发高投入
ROE
~12%
轻资产模式下ROE稳步提升，随规模效应释放有望进一步改善稳健

核心逻辑：国内晶圆厂扩产+设备国产化率提升双重驱动，刻蚀设备进入先进制程验证带来估值重估催化。在手订单充裕保障未来2-3年业绩增长确定性。

03 — 技术面与实时K线

技术面与K线

TradingView · SSE:688012MA · MACD · VOL
趋势判断
中长期上行趋势
股价沿20日/60日均线上行，2024年以来涨幅显著，近期高位整理多头
支撑位
¥330 / ¥280
¥330为前期平台支撑+60日均线，¥280为年线及前期突破位关键
压力位
¥430 / ¥480
¥430为近期新高压力，突破后看¥480（历史高位+心理关口）待突破
成交量
日均 ~30亿
成交活跃，机构资金持续流入，筹码集中度较高量能充足
04 — 建仓·加仓·止损·目标

交易策略

基于技术面支撑+基本面确定性，制定分批建仓策略。
01
首次建仓
¥333.4–347.04
MA20=347.04 MA60=333.4 BB下轨=283.86 | 技术面建仓区间，基于均线+布林带计算
02
加仓区间
¥321.43
MA120=321.43 | 深度回调加仓位，低于建仓下沿
03
止损位
¥294.61
建仓下沿 - 2×ATR(19.39) | 跌破此位说明趋势反转，必须止损
04
目标价①
¥410.21
布林上轨=410.21 | 短期压力位，触及可部分止盈
05
目标价②
¥422.49
BB上轨+1.5×ATR | 突破场景目标价，趋势确认后看这里
06
持仓周期
6–18M
中长线配置标的，核心跟踪先进制程验证进展和订单节奏。

风险提示：科创板个股波动较大，PE估值高位需警惕业绩不及预期带来的杀估值风险。建议严格执行止损纪律。

05 — 板块与传导

板块与传导

半导体设备板块受益于晶圆厂扩产周期与国产替代政策双重驱动。

设备 · 国产化

国内晶圆厂扩产+美国制裁倒逼设备国产化，刻蚀设备作为前道核心工艺环节，国产化率仍低（约15-20%），提升空间巨大。

刻蚀设备 薄膜沉积 光刻 清洗 测试 量检测
扩产周期
2024-2027高峰期
中芯国际、华虹、长存、合肥长鑫等集中扩产，设备需求集中释放景气
国产化率
刻蚀 ~15-20%
相比薄膜沉积30%+，刻蚀设备国产化率仍有大幅提升空间核心赛道
政策支持
大基金+地方配套
大基金三期重点投向设备材料，各地晶圆厂扩产带动本地化采购确定性
传导链条
设备→零部件→材料
中微公司订单→新莱应材/富创精密/江丰电子等配套厂商受益产业链
设备国产化进程
政策驱动
2019-2021成熟制程突破
2021-2023先进制程验证
2024-2026全面国产替代
2027+
06 — 风险与机会

风险与机会

风险.

  • 估值偏高：65×PE处于历史中高位，若业绩增速放缓可能面临估值回调
  • 先进制程验证不及预期：5nm制程验证周期较长，客户导入存在不确定性
  • 地缘政治：美国制裁升级可能影响部分零部件供应链
  • 竞争加剧：北方华创等国内同业在刻蚀领域持续追赶
  • 下游扩产节奏：若晶圆厂资本开支收缩，设备订单可能延后

机会.

  • 先进制程突破：5nm刻蚀通过验证将打开巨大增量市场空间
  • MOCVD新应用：Mini/Micro LED + SiC外延扩展应用场景
  • 品类扩张：向薄膜沉积(CVD/PVD)、离子注入等新品类拓展
  • 海外市场：东南亚晶圆厂建设带来出海机会
  • 存储扩产：3D NAND高层数堆叠对刻蚀设备需求大幅增加
07 — 跟踪清单

跟踪清单

01
5nm刻蚀验证进展
跟踪先进制程刻蚀设备在客户端验证进度，关注是否从验证转入量产采购阶段。
02
季度订单及交付
关注预收款/合同负债变化，反映在手订单增减趋势和交付节奏。
03
MOCVD新应用落地
Mini LED/Micro LED量产进度，SiC MOCVD设备客户导入情况。
04
新品类设备发布
CVD/PVD等薄膜沉积设备研发进展，离子注入等新产品线的突破。
05
晶圆厂扩产节奏
中芯国际/华虹/长存资本开支计划及设备国产化率目标变化。
06
美国制裁动态
关注美国对华半导体设备出口管制政策变化，评估对零部件供应链的影响。